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      En resumen: Velocidad de transferencia (lectura) 7.150 MB/s  Velocidad de transferencia (escritura) 6.300 MB/s  Total de bytes escritos (TBW) 600  Lectura aleatoria 4K IOPS 850.000  Escritura aleatoria 4K IOPS 1.350.000  1.000 GB  3D TLC  Protokoll NVMe  Refrigeración disipador de bajo perfil  Factor de forma M.2 

      Cantidad:
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      Funciones
      Velocidad de transferencia (lectura) 7.150 MB/s
      Velocidad de transferencia (escritura) 6.300 MB/s
      MTBF 1.500.000 h
      Total de bytes escritos (TBW) 600
      Lectura aleatoria 4K IOPS 850.000
      Escritura aleatoria 4K IOPS 1.350.000
      Propiedades
      Capacidad en GB 1.000 GB
      Tipo de construcción interna
      Tipo de memoria 3D TLC
      Protokoll NVMe
      Características Host Memory Buffer (HMB), soporte TRIM, recuperación de memoria, SMART, DEVSLP
      Consumo energético (funcionamiento) 4,3 Watt
      Encriptación AES 256-Bit
      Refrigeración disipador de bajo perfil
      Proceso de fabricación 5 nm
      Condiciones ambientales
      Resistente a los golpes hasta 1.500 G
      Temperatura de funcionamiento 0 - 70 °C
      Medidas y peso
      Factor de forma M.2
      SAMSUNG
      ssd990evoplus
      1 Artículo

      Referencias específicas

      ean13
      8806095575674
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